发明名称 |
用于保护过压保护元件的过流保护装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种用于保护过压保护元件(2)的过流保护装置,其带有熔断元件(4),该熔断元件(4)关联有I<sup>2</sup>t值(A),其特征在于,熔断元件(4)并联联结有部件(5),其中部件(5)关联有I<sup>2</sup>t值(B),该I<sup>2</sup>t值(B)大于熔断元件(4)的I<sup>2</sup>t值(A),使得与经由熔断元件(4)相比较经由部件(5)可传导更大的I<sup>2</sup>t,且熔断元件(4)和部件(5)如此地设计,即使得带有高频部分和高I<sup>2</sup>t值的、短而相对高的脉冲电流基本上仅流动经过部件(5),而低频电流尤其通常的低压电网的电流仅流动经过熔断元件(4)。 |
申请公布号 |
CN203747397U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201320426940.8 |
申请日期 |
2013.07.18 |
申请人 |
菲尼克斯电气公司 |
发明人 |
R.杜尔特;J-E.施穆茨 |
分类号 |
H02H7/24(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02H7/24(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
陈浩然;傅永霄 |
主权项 |
一种过流保护装置,尤其用于保护过压保护元件(2),该过流保护装置带有熔断元件(4),该熔断元件(4)关联有I<sup>2</sup>t值(A),其特征在于,与所述熔断元件(4)并联联结有部件(5),其中所述部件(5)关联有I<sup>2</sup>t值(B),该I<sup>2</sup>t值(B)大于所述熔断元件(4)的I<sup>2</sup>t值(A),使得与经由所述熔断元件(4)相比经由所述部件(5)可传导更大的I<sup>2</sup>t,且所述熔断元件(4)和所述部件(5)如此地设计,即使得带有高频部分和高I<sup>2</sup>t值的短而相对高的脉冲电流基本上仅流动经过所述部件(5),而低频电流尤其为通常的低压电网的电流仅流动经过所述熔断元件(4)。 |
地址 |
德国勃郎贝克市 |