| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 碳化硅衬底(30)包括：具有彼此相反的第一表面(S1)和第二表面(S2)的n型漂移层(32)；被设置在n型漂移层(32)的第一表面(S1)中的p型体区(33)；被设置在p型体区(33)上的n型发射极区(34)，该n型发射极区(34)与n型漂移层(32)被p型体区(33)分开。栅极绝缘膜(11)被以下述方式设置在p型体区(33)上，使得连接n型漂移层(32)和n型发射极区(34)。p型硅集电极层(70)被以下述方式直接地设置在碳化硅衬底(30)上，使得面向n型漂移层(32)的第二表面(S2)。 | ||
| 申请公布号 | CN103959472A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201280056840.9 | 申请日期 | 2012.10.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 和田圭司;日吉透 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件(91，92)，包括：碳化硅衬底(30)，所述碳化硅衬底包括：具有彼此相反的第一和第二表面(S1，S2)的n型漂移层(32)；被设置在所述n型漂移层的所述第一表面中的p型体区(33)；以及被设置在所述p型体区上的n型发射极区(34)，所述n型发射极区与所述n型漂移层被所述p型体区分开；栅极绝缘膜(11)，所述栅极绝缘膜被设置在所述p型体区上，使得所述n型漂移层和所述n型发射极区相互连接；栅电极(9)，所述栅电极被设置在所述栅极绝缘膜上；发射极电极(42)，所述发射极电极与所述n型发射极区和所述p型体区中的每一个接触；以及p型Si集电极层(70)，所述p型Si集电极层被直接地设置在所述碳化硅衬底上以面向所述n型漂移层的所述第二表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||