用于将电压浮置或者将电压施加置集成电路的阱的方法和设备

摘要

在一个阱偏置布置中，不施加阱偏置电压至n阱，并且不施加阱偏置电压至p阱。因为没有施加外部阱偏置电压，n阱和p阱是浮置的，甚至在n阱和p阱中器件操作期间。在另一阱偏置布置中，最低可用电压不施加至p阱，诸如接地电压、或者施加至p阱中n型晶体管的n+掺杂源极区域的电压。这甚至在p阱中n型晶体管操作期间也发生。在又一阱偏置布置中，最高可用电压不施加至n阱，诸如电源电压、或者施加至n阱中p型晶体管的p+掺杂源极区域的电压。这甚至在n阱中p型晶体管操作期间也发生。

主权项

一种集成电路，包括：衬底；在所述衬底中的n阱；在所述n阱中的器件；在所述衬底中的p阱；在所述p阱中的器件；偏置电路装置，提供在所述n阱中的所述器件和在所述p阱中的所述器件操作所需的所有偏置电压，其中，在所述n阱中的所述器件和所述p阱中的所述器件操作期间：(i)所述偏置电路装置施加偏置电压布置至所述n阱中的所述器件和所述p阱中的所述器件，(ii)所述偏置电路装置不施加阱偏置电压至所述n阱，以及(iii)所述偏置电路装置不施加阱偏置电压至所述p阱。