| 发明名称 | 半导体器件的金属栅结构 | ||
| 摘要 | 本申请披露了一种半导体器件，包括：基板，具有第一有源区、第二有源区、以及插入第一有源区和第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P-金属栅电极，在第一有源区之上并且延伸隔离区的第一宽度的至少2/3；以及N-金属栅电极，在第二有源区之上并且延伸不超过第一宽度的1/3。N-金属栅电极电连接至隔离区之上的P-金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102437185B | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201110061221.6 | 申请日期 | 2011.03.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 周汉源;张立伟;朱鸣;杨宝如;庄学理 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板，包括第一有源区、第二有源区、以及插入所述第一有源区和所述第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P‑金属栅电极，在所述第一有源区之上并且在所述隔离区上延伸的所述P‑金属栅电极的距离超过所述隔离区的所述第一宽度的至少2/3；以及N‑金属栅电极，在所述第二有源区之上并且在所述隔离区上延伸的所述N‑金属栅电极的距离不超过所述第一宽度的1/3，所述N‑金属栅电极电连接至所述隔离区之上的所述P‑金属栅电极，其中，所述P‑金属栅电极在所述隔离区上延伸的距离与所述N‑金属栅电极在所述隔离区上延伸的距离之和等于所述隔离区的第一宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||