发明名称 |
一种融合传感器 |
摘要 |
本实用新型实施例公开了一种融合传感器,包括:衬底晶圆、位于所述衬底晶圆表面的MEMS惯性传感器结构以及位于所述MEMS惯性传感器结构表面的MEMS压力传感器结构,其中,所述MEMS压力传感器结构中的MEMS压力传感器晶圆、所述MEMS惯性传感器结构中的环形MEMS惯性传感器晶圆以及所述衬底晶圆共同构成一真空腔,从而使得所述MEMS惯性传感器结构与所述MEMS压力传感器结构共用一个真空腔,进而使得本实用新型所提供的融合传感器在同时实现MEMS惯性传感器与MEMS压力传感器功能的基础上,降低了所述融合传感器的尺寸。 |
申请公布号 |
CN203745004U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201420063666.7 |
申请日期 |
2014.02.12 |
申请人 |
歌尔声学股份有限公司 |
发明人 |
张俊德 |
分类号 |
G01D21/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01D21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种融合传感器,其特征在于,包括:衬底晶圆,位于所述衬底晶圆表面的MEMS惯性传感器结构,所述MEMS惯性传感器结构包括:位于所述衬底晶圆表面的环形MEMS惯性传感器晶圆以及位于所述环形MEMS惯性传感器晶圆中间的惯性传感器检测单元;位于所述MEMS惯性传感器结构表面的MEMS压力传感器结构,所述MEMS压力传感器结构包括:位于所述环形MEMS惯性传感器晶圆表面的MEMS压力传感器晶圆、相对位于所述MEMS压力传感器晶圆上表面内的第一压敏电阻和第二压敏电阻;其中,所述MEMS压力传感器晶圆包括:环形侧壁以及位于所述环形侧壁包围区域的应变薄膜,所述应变薄膜与所述惯性传感器检测单元之间具有间隙,且所述环形侧壁、所述应变薄膜与所述MEMS惯性传感器晶圆、所述衬底晶圆共同构成真空腔。 |
地址 |
261031 山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号 |