集成电路中RDL和TSV金属层一次成型方法

摘要

本发明公开了一种集成电路中RDL和TSV金属层一次成型方法，包括：TSV的光刻和蚀刻；TSV光刻胶的去除和清洗；TSV绝缘层氧化物沉积；TSVBARC填充及刻蚀；RDL光刻和蚀刻；RDL光刻胶的去除和清洗；扩散阻挡层和种子层的沉积；金属导电物的填充以及表面平坦化处理的步骤。本发明能够同时实现TSV和第一层线转移层RDL制作过程中扩散阻挡层、种子层、金属填充物的同步完成以及一次性平坦化处理，不仅提高了材料的利用率，降低了生产成本，还提高了生产效率。

主权项

集成电路中RDL 和TSV 金属层一次成型方法，其特征在于主要包括以下步骤：步骤一：TSV的光刻和蚀刻；步骤二：TSV光刻胶的去除和清洗；步骤三：TSV 绝缘层氧化物沉积；步骤四：TSV BARC 填充及刻蚀；步骤五：RDL 光刻和蚀刻；步骤六：RDL 光刻胶的去除和清洗；步骤七：扩散阻挡层和种子层的沉积；步骤八：金属导电物的填充；步骤九：表面平坦化处理。