非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

摘要

本发明提供用于制造薄膜晶体管TFT装置的系统、方法及设备。在一方面中，提供具有源极区域、漏极区域及通道区域的衬底。金属阳离子被注入于上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的氧化物半导体层中。金属阳离子注入在上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的所述氧化物半导体层中形成经掺杂n型氧化物半导体。

主权项

一种方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有表面，所述表面包含源极区域、漏极区域及通道区域，所述衬底包含在所述衬底的所述表面上的氧化物半导体层，及在上覆于所述衬底的所述通道区域的所述氧化物半导体层上的掩模；及将金属阳离子注入于上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的所述氧化物半导体层中，以形成经掺杂n型氧化物半导体层。