存储元件以及内存结构

摘要

本发明涉及存储元件以及内存结构，实施例扩展了熔丝元件、反熔丝元件以及其结合使能多次可编程存储元件的能力。因此，实施例显著降低了存储元件的面积要求和控制电路复杂性。实施例可以在例如非易失的存储器中使用，并且适合于在片上系统(SoC)的产品中使用。

主权项

一种存储元件，其特征在于，包括：与所述存储元件的N‑区耦合的第一终端；与所述存储元件的P‑区耦合的第二终端；其中所述N‑区和P‑区产生多晶硅二极体反熔丝；以及覆盖所述N‑区和P‑区的硅化物层，其中在所述存储元件的初始编程状态中，所述硅化物层产生与所述多晶硅二极体反熔丝并联的多晶硅熔丝，其中，所述存储元件提供第一编程状态，其中，所述第一编程状态中所述存储元件的第一阻抗高于所述初始编程状态中所述存储元件的初始阻抗。