| 发明名称 | Ga改性(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)FeO<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub>压电陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ga改性(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)FeO<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub>压电陶瓷，其化学式为：(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)（Fe<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>）O<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub>，其中x<0.1，即在BGF-PT体系中引入Ga元素，形成BGGF-PT压电陶瓷固溶体系。本发明还公开了一种BGGF-PT压电陶瓷制备方法，按化学式配料，进行球磨混合，在750℃温度范围内煅烧合成，经多次球磨与煅烧合成至颗粒细小、均匀的BGF-PT粉体，压片，烧结，得到陶瓷制品。本发明采用Ga元素对BGF-PT系压电陶瓷材料进行改性，制备出了铅含量低、准同型相界范围大、绝缘性好、压电常数高性能优越的BGGF-PT压电陶瓷。 | ||
| 申请公布号 | CN103951407A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410163475.2 | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 程晋荣;王大磊;陈建国 |
| 分类号 | C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 何文欣 |
| 主权项 | 一种Ga改性(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)FeO<sub>3</sub>‑PbTiO<sub>3</sub>压电陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)（Fe<sub>1‑x</sub>Ga<sub>x</sub>）O<sub>3</sub>‑PbTiO<sub>3</sub>，其中x<0.1，即在(Bi<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)FeO<sub>3</sub>‑PbTiO<sub>3</sub>体系中引入Ga元素，形成BGGF‑PT压电陶瓷固溶体系。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||