单片集成的垂直JFET和肖特基二极管

摘要

一种包括垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的集成器件，包括：包含第一第III氮化物材料的漏极；耦合到漏极并且沿着垂直方向设置为相邻于漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区；以及耦合到漂移区的包含第三第III族氮化物材料的沟道区。集成器件还包括：至少部分地包围沟道区的栅极区；耦合到沟道区的源极；以及耦合到漂移区的肖特基接触器。沟道区沿着垂直方向设置在漏极与源极之间使得在垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的操作期间电流流动沿着垂直方向。

主权项

一种包括垂直第III族氮化物FET和肖特基二极管的集成器件，所述集成器件包括：包含第一第III族氮化物材料的漏极；耦合到所述漏极并且沿着垂直方向设置为相邻于所述漏极的包含第二第III族氮化物材料的漂移区；耦合到所述漂移区的包含第三第III族氮化物材料的沟道区；至少部分地包围所述沟道区的栅极区；耦合到所述沟道区的源极；以及耦合到所述漂移区的肖特基接触器，其中所述沟道区沿着所述垂直方向设置在所述漏极与所述源极之间使得在所述垂直第III族氮化物FET和所述肖特基二极管的操作期间电流流动沿着所述垂直方向。