电子纸阵列基板制造方法和电子纸阵列基板

摘要

本发明公开了一种电子纸阵列基板制造方法和电子纸阵列基板，电子纸阵列基板制造方法包括：步骤1、在玻璃基板上沉积绝缘找平层，利用第一掩膜版光刻出栅极和存储电容底电极的图形；步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上沉积金属层，利用第一掩膜版光刻出栅极和存储电容底电极；步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上分别沉积绝缘板层、非晶硅层、n+非晶硅层和源/漏极金属层，利用第二掩膜版光刻出源/漏极和沟道区；步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上涂覆钝化膜。本发明还提供了一种电子纸阵列基板。本发明消除了阵列基板结构表面的段差，为后续电子墨水的涂覆工艺带来方便，并使得漏极电场均匀分布。

主权项

一种电子纸阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在玻璃基板上沉积绝缘找平层，利用第一掩膜版光刻出栅极和存储电容底电极的图形；步骤2、在完成步骤1的所述玻璃基板上沉积金属层，利用所述第一掩膜版光刻出所述栅极和存储电容底电极；步骤3、在完成步骤2的所述玻璃基板上分别沉积绝缘板层、非晶硅有源层、n+非晶硅层和源/漏极金属层，利用第二掩膜版光刻出源/漏极和沟道区；步骤4、在完成步骤3的所述玻璃基板上涂覆钝化膜；其中，利用所述第一掩膜版光刻出的所述栅极和存储电容底电极的图形与利用所述第一掩膜版光刻出的所述栅极和存储电容底电极完全互补；所述利用第二掩膜版光刻出源/漏极和沟道区具体为：利用第二掩膜版，采用正性光刻胶光刻所述源/漏极金属层；去除沟道区中的所述正性光刻胶；刻蚀非沟道区中的所述非晶硅有源层和所述n+非晶硅层；刻蚀所述沟道区中的所述n+非晶硅层和所述源/漏极金属层。