| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路及其制造方法，该方法包括：形成一多晶硅层于一基板上；以及图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极。对该多晶硅电阻实施一第一离子注入，以调整该多晶硅电阻的阻值。对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使该多晶硅电阻的该顶部具有一高抗蚀刻力。之后，实施一蚀刻工艺，以移除该多晶硅栅极，同时以该顶部保护该多晶硅电阻。本发明可克服多晶硅电阻的阻值与设定值产生偏差与其他问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102237310B | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201110072482.8 | 申请日期 | 2011.03.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李达元;叶明熙 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种集成电路的制造方法，包括：形成一多晶硅层于一基板上；图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极；对该多晶硅层实施一第一离子注入，以二氟化硼与硼其中之一注入该多晶硅电阻，使该二氟化硼与硼其中之一自顶部至底部均匀地分散于该多晶硅电阻中，以调整该多晶硅电阻的阻值；对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使该顶部具有一高抗蚀刻力；以及实施一蚀刻工艺，以移除该多晶硅栅极，同时以经注入的该顶部保护该多晶硅电阻。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||