一种低热应力结构的高功率半导体激光器

摘要

本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。

主权项

一种低热应力结构的高功率半导体激光器，其特征在于：主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。