发明名称 |
GaN基发光二极管的制备方法 |
摘要 |
一种GaN基发光二极管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层;步骤2:采用光刻的方法,在n型GaN层上制备选择性生长掩膜;步骤3:在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层;步骤4:将n型GaN层上保留的选择性生长掩膜刻蚀掉;步骤5:在p型GaN层和暴露的n型GaN层上生长透明电极层;步骤6:在p型GaN层上的透明电极层上制作金属电极,在n型GaN层上的透明电极层上制作金属电极,完成制备。本发明取消了器件制备过程中的台面干法刻蚀工艺,完全避免了台面刻蚀时造成量子阱以及P型GaN的损伤,不仅有效降低了材料生长过程的气源的消耗,还采用湿法工艺完成台面,省略了干法刻蚀设备的需求,大大节约了生产成本。 |
申请公布号 |
CN103956415A |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201410192628.6 |
申请日期 |
2014.05.08 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
黄亚军;王莉;樊中朝;刘志强;伊晓燕 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种GaN基发光二极管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层;步骤2:采用光刻的方法,在n型GaN层上制备选择性生长掩膜;步骤3:在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层;步骤4:将n型GaN层上保留的选择性生长掩膜刻蚀掉;步骤5:在p型GaN层和暴露的n型GaN层上生长透明电极层;步骤6:在p型GaN层上的透明电极层上制作金属电极,在n型GaN层上的透明电极层上制作金属电极,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |