发明名称 | 通过常压化学气相沉积沉积氧化硅 | ||
摘要 | 本发明提供了在一个基底(例如,玻璃)上形成一个或多个含氧化硅的层的方法,通过加热一个基底,蒸发至少一种前体以便形成一个蒸发的前体流,该前体包括一种具有大于两个碳原子的烷基基团的单烷基硅烷,并且使该加热的基底的表面与该蒸发的前体流在约大气压力下进行接触以便将一个或多个含氧化硅的层沉积在该基底的表面上。本发明对于在线浮法玻璃过程中将一个防晕光的涂层施加到玻璃上是特别有用的。 | ||
申请公布号 | CN103958731A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
申请号 | CN201280059123.1 | 申请日期 | 2012.09.13 |
申请人 | 阿科玛股份有限公司 | 发明人 | R·C·史密斯;J·L·斯特里克 |
分类号 | C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
主权项 | 一种在基底上形成至少一个含氧化硅的层的方法,包括(a)加热一个基底;(b)蒸发至少一种前体以便形成一种蒸发的前体流,该前体包括一种具有大于两个碳原子的烷基基团的单烷基硅烷;并且(c)使该加热的基底表面与该蒸发的前体流在约大气压下进行接触以便将至少一个含氧化硅的层沉积在该基底的表面上。 | ||
地址 | 美国宾夕法尼亚州 |