发明名称 一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法
摘要 本发明涉及一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法,属于芯片封装技术领域。它包括以下工艺过程:键合带有隔离层(6)的玻璃盖板(5)与芯片本体(1),通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅通孔(1-1),在硅通孔(1-1)内形成金属微凸点(7)结构,再次通过光刻结合硅刻蚀的方法使金属微凸点(7)形成金属孤岛,喷胶或旋涂实现圆片表面及硅通孔(1-1)内硅表面的绝缘,在金属微凸点(7)表面形成绝缘层开口盲孔(8-1),之后填充绝缘层开口盲孔(8-1)和设置再布线金属层(9)与线路保护层(10),在再布线金属层(9)的终端设置焊球凸点(11)阵列。本发明提供了一种结构简单、工艺难度小、互联可靠性好的封装方法。
申请公布号 CN102637713B 申请公布日期 2014.07.30
申请号 CN201210095390.6 申请日期 2012.03.31
申请人 江阴长电先进封装有限公司 发明人 张黎;胡正勋;赖志明;陈锦辉
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼然
主权项 一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法,其特征在于:所述方法包括以下工艺过程:步骤一、通过涂覆、曝光、显影、固化或者单纯印刷工艺在透光盖板(5)表面形成隔离层(6);步骤二、将上述带有隔离层(6)的透光盖板(5)与芯片本体(1)键合起来;步骤三、将上述芯片本体(1)进行圆片减薄和应力层去除处理;步骤四、通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅通孔(1‑1),通过定向选择性刻蚀在芯片内部钝化层(2)处形成芯片内部钝化层开口(2‑1)而不损伤芯片内部金属层(3);步骤五、通过电镀或化学镀的方式在硅通孔(1‑1)内形成金属微凸点(7)结构,并通过金属腐蚀去除硅通孔(1‑1)底部以外的金属;步骤六、再次通过光刻结合硅刻蚀的方法,斜向选择性刻蚀,使硅通孔(1‑1)的底部打开至芯片内部钝化层(2)的下表面;步骤七、利用整面喷胶或旋涂的方式,实现圆片表面及硅通孔(1‑1)内硅表面的绝缘层(8);步骤八、利用光刻或激光打孔方式在金属微凸点(7)上方的绝缘层(8)处形成绝缘层开口盲孔(8‑1);步骤九、通过电镀或化学镀的方法填充绝缘层开口盲孔(8‑1)和设置再布线金属层(9);步骤十、通过喷胶或旋涂的方法形成再布线金属层(9)的线路保护层(10);步骤十一、通过植球或印刷焊膏、回流的方法在再布线金属层(9)上形成BGA焊球凸点(11)的阵列。
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