发明名称 |
考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法 |
摘要 |
本发明公开了一种考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法。通常采用的方法是,对于同一基铁塔上取到的带电绝缘子串,选取部分绝缘子进行污秽度测试,其余绝缘子进行污闪电压试验,在此基础上进行数据分析,这种方法存在一定的局限性。本发明的特征在于,将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分,一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析,另一部分用于污闪试验;考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失,对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正,在此基础上,对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析。本发明能够更为有效的得到自然积污绝缘子串污闪电压与绝缘子表面污秽度之间的函数关系。 |
申请公布号 |
CN102707209B |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201210194253.8 |
申请日期 |
2012.06.13 |
申请人 |
浙江省电力公司电力科学研究院;国家电网公司 |
发明人 |
王少华;胡文堂;刘黎;梅冰笑;罗盛;董建洋 |
分类号 |
G01R31/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/12(2006.01)I |
代理机构 |
浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 |
代理人 |
张建青 |
主权项 |
考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法,其特征在于,将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分,一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析,另一部分用于污闪试验;考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失,对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正,在此基础上,对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析,得到自然积污绝缘子表面污秽度对污闪电压的影响规律。 |
地址 |
310014 浙江省杭州市下城区朝晖八区华电弄1号 |