| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC CONTACT TO n-Si |
| 摘要 |
A method for manufacturing an ohmic contact to n-Si includes cleaning surface of n-Si plate, phosphorus doping 150-200 nm near-surface n + - n-Si layer until donor concentration in n + layer ~1-3·10cmand further heating n + -n-Si structure to 330-350 ° C and sequential depositing a 30-35 nm palladium layer and 50-55 nm titanium, above which a gold external contact layer is deposited. The phosphorus doping of n + near-surface layer is made using a method of ion implantation of near-surface donor concentration ~10-10cmand annealing in oxygen at 750-1050 ° C during 5-60 min. |
| 申请公布号 |
UA91936(U) |
申请公布日期 |
2014.07.25 |
| 申请号 |
UA20140001014U |
申请日期 |
2014.02.03 |
| 申请人 |
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМ. В.Є. ЛАШКАРЬОВА НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ |
发明人 |
Бєляєв Олександр Євгенович;Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч;Пятліцкая Таццяна Владзіміравна;Болтовець Микола Силович;Конакова Раїса Василівна;Виноградов Анатолій Олегович;Кудрик Ярослав Ярославович;Шеремет Володимир Миколайович;Саченко Анатолій Васильович;Коростинська Тамара Василівна;Аніщик Віктар Міхайлавіч |
| 分类号 |
H01L21/268 |
主分类号 |
H01L21/268 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
