| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape d'élaboration d'une couche émettrice de lumière (20) sur une face avant d'un support (10), ladite couche émettrice comprenant au moins deux puits quantiques adjacents (21, 22, 23) émettant à des longueurs d'ondes différentes, lesdits puits quantiques (21, 22, 23) étant en contact avec la face avant du support. |
