| 摘要 |
La présente invention se rapporte à un élément de mémoire DRAM embarquée comprenant un premier nœud de stockage (1120, 1220), un nœud de ligne de bits (1040) pour accéder à la valeur stockée dans le nœud de stockage, et un transistor de sélection (1130, 1230) contrôlant l'accès depuis le nœud de ligne de bits au nœud de stockage, dans lequel le transistor de sélection a une grille avant (1132, 1232) et une grille arrière (4510, 4511). |
