| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements mit einer Stegwellenleiterstruktur, umfassend die Schritte: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (15) mit einer Mehrzahl von funktionellen Schichten (2, 3, 4, 5, 6, 7) und einem aktiven Bereich (4), der geeignet ist, in einem elektronischen Betrieb des Laserbauelements eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, B) Großflächiges, nicht stegförmiges, Aufbringen einer elektrischen Kontaktschicht (16) gebildet aus zumindest einer Elektrodenschicht (8) und zumindest einer elektrisch leitenden Verstärkungsschicht (12) auf der zumindest einen Elektrodenschicht (8) auf der Halbleiterschichtenfolge (15), C) Erzeugen einer stegförmig strukturierten Maskenschicht (9) auf einem Teilbereich der elektrischen Kontaktschicht (16), D') Abtragen der elektrischen Kontaktschicht (16) in Bereichen, die nicht von der Maskenschicht (9) überdeckt sind, D) Zumindest teilweises Abtragen zumindest einer der funktionellen Schichten (7) der Halbleiterschichtenfolge (15) in Bereichen, die nicht von der Maskenschicht (9) überdeckt sind, zur Herstellung eines Steges (14) umfassend die elektrische Kontaktschicht (16) und die Stegwellenleiterstruktur (13), wobei–die Schritte D' und D nacheinander mittels zwei verschiedener Ätzverfahren durchgeführt werden, und–die elektrische Kontaktschicht (16) dieselbe Breite wie die darunter liegende Stegwellenleiterstruktur (13) aufweist, E) Großflächiges Aufbringen einer Passivierungsschicht (10) über der Halbleiterschichtenfolge (15) und der elektrischen Kontaktschicht (16), wobei die Passivierungsschicht (10) den Steg (14) überdeckt und umschließt, wodurch die Passivierungsschicht (10) über dem Steg (14) eine Erhebung aufweist und die Passivierungsschicht (10) eine größere Höhe als der Steg (14) aufweist, G) Großflächiges Abtragen der Passivierungsschicht (10) zur Freilegung der elektrischen Kontaktschicht (16), so dass die Passivierungsschicht (10) und die elektrische Kontaktschicht (16) eine gemeinsame Oberfläche bilden. |
