发明名称 Kondensatoren mit zurückgesetzter Bodenelektrode und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 Eine Kondensator-über-Bitleitungs-Struktur enthält eine Bodenelektrode, die einen Offener-Behälter-Formfaktor aufweist. Der Bodenelektroden-Formfaktor enthält einen Boden, geradlinige Seitenwände und einen Rand, der die oberste Struktur definiert. Eine Kondensatordielektrikumschicht kontaktiert und bedeckt den Boden, die Seitenwände und den Rand. Eine Deckelektrode weist einen konvexen Formfaktor auf, der den konkaven Bodenelektroden-Formfaktor ergänzt. Ein Prozess zum Ausbilden der Kondensator-über-Bitleitungs-Struktur enthält Spinning-on eines aufschmelzbaren Opfermaterials, wie zum Beispiel eines Oxids, das sowohl Logik- als auch Speicherabschnitte einer halbleitenden Einrichtung bedeckt, gefolgt von einem Rückpolierprozess und einem Vertiefungs- bzw. Zurücksetzätzen der Bodenelektrode.
申请公布号 DE112011105831(T5) 申请公布日期 2014.07.24
申请号 DE201111105831T 申请日期 2011.11.10
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 BRAIN, RUTH A.;STEIGERWALD, JOSEPH M.
分类号 H01L21/8242;H01L21/28;H01L27/108 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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