| 摘要 |
Nichtflüchtiges Speicherbauelement mit–einem nichtflüchtigen Speicherzellenfeld (1790), das eine Mehrzahl von nichtflüchtigen Speicherzellen umfasst, die mit einer Mehrzahl von Wortleitungen (WL0 bis WL31) verbunden sind, gekennzeichnet durch–einen Wortleitungsspannungsgenerator (1750), der dafür eingerichtet ist, eine erste und eine zweite Spannungsimpulssequenz (Vpgm1, Vpgm2) zu erzeugen und die erste oder zweite Spannungsimpulssequenz selektiv an eine ausgewählte der Wortleitungen (WL0 bis WL31) anzulegen, um die mit der ausgewählten Wortleitung verbundenen nichtflüchtigen Speicherzellen zu programmieren, wobei ein Anstieg von wenigstens einem Spannungsimpuls der ersten Spannungsimpulssequenz steiler als ein Anstieg von wenigstens einem Spannungsimpuls der zweiten Spannungsimpulssequenz ist. |
