| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung stellt ein epitaktisches Schichtbildungsverfahren, das in der Lage ist, eine epitaktische Schicht einer +c-Polarität durch Sputtern herzustellen, und eine Vakuumverarbeitungsvorrichtung bereit, die für dieses Schichtbildungsverfahren geeignet ist, und stellt auch ein Herstellverfahren eines lichtemittierenden Halbleiterelements unter Verwendung dieser epitaktischen Schicht sowie ein lichtemittierendes Halbleiterelement und eine Beleuchtungseinrichtung bereit, die durch dieses Herstellverfahren hergestellt werden. In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Schichtbildungsverfahren des epitaktischen Wachsens einer Halbleiterschicht mit einer Wurtzit-Struktur durch Sputtern auf einem Substrat für epitaktisches Wachstum, das unter Verwendung eines Heizers auf eine gewünschte Temperatur geheizt wird, die folgenden Schritte auf. Zunächst wird das Substrat auf einem Substrathalter einschließlich dem Heizer in solch einer Weise angeordnet, dass das Substrat entfernt von dem Heizer mit einem vorbestimmten Abstand angeordnet wird. Dann wird die epitaktische Schicht der Halbleiterschicht mit der Wurtzit-Struktur auf dem Substrat in dem Zustand gebildet, in dem das Substrat weg von dem Heizer mit dem vorbestimmten Abstand angeordnet ist.</p> |
