Verfahren zur Herstellung einer FinFET-Vorrichtung einschließlich eines Fußbereichs eines Grat-Elements

摘要

Ein Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Substrats, das einen Grat aufweist, der sich von einer ersten (z. B. oberen) Fläche des Substrats erstreckt. Der Grat weist ein ersten Bereich (einen Fußbereich) und einen zweiten Bereich (einen aktiven Bereich) auf, die jeweils eine unterschiedliche Zusammensetzung aufweisen. Der erste Bereich des Grates wird modifiziert, um eine Breite des Halbleitermaterials zu verringern, beispielsweise durch Ätzen und/oder Oxidieren des ersten Bereichs des Grates. Das Verfahren fährt dann fort, um eine Gate-Struktur auf dem zweiten Bereich des Grates bereitzustellen. Es sind auch FinFET-Vorrichtungen vorgesehen, die Fußbereiche mit verringerten Breiten des Halbleitermaterials aufweisen.