| 摘要 |
Halbleiterbauelement mit: einem Substrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite; einer Durchgangskontaktierung, die in dem Substrat so ausgebildet ist, dass sie sich zumindest zu der Rückseite erstreckt, wobei die Durchgangskontaktierung eine dielektrische Schicht aufweist, die in Kontakt mit dem Substrat und einem metallenthaltenden leitenden Füllmaterial ausgebildet ist; und einem Verspannungsrelaxationsmechanismus, der in Kontakt mit der Durchgangskontaktierung ausgebildet und so gestaltet ist, dass eine thermisch hervorgerufene Verspannung, die durch eine Fehlanpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Substrat und dem leitenden Füllmaterial hervorgerufen wird, verringert wird, wobei der Verspannungsrelaxationsmechanismus zumindest einen Volumenausdehnungsbereich umfasst, der als ein Kontaktierungsbereich mit einer lokal erhöhten Breite und einer im Wesentlichen nicht variierenden Dicke des leitenden Füllmaterials vorgesehen ist. |
