| 主权项 |
一种带隙电压基准电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四PMOS晶体管，第五PMOS晶体管，第六PMOS晶体管，第一PNP三极管，第二PNP三极管，电容C，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻和运算放大器；其中，第一PMOS晶体管的源极连接电源电压VDD，第二NMOS晶体管的栅极和漏极连接电源电压VDD，第一PMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的漏极、第四PMOS晶体管的栅极相连；第三NMOS晶体管的源极和衬底连接接地信号GND，第四PMOS晶体管的源极连接电源电压VDD，第四PMOS晶体管的漏极与第五PMOS晶体管的栅极、第六PMOS晶体管的源极相连，第六PMOS晶体管的栅极和漏极连接接地信号GND；运算放大器的正输入端与第二电阻的负端、第二PNP三极管的发射极、第五PMOS晶体管的漏极相连，运算放大器的负输入端与第一电阻的正端、第三电阻的负端相连，运算放大器的输出端与第三NMOS晶体管的栅极相连；第一电阻的负端与第一PNP三极管的发射极相连，第二电阻的正端与第三电阻的正端、第四电阻的负端相连，第四电阻的正端与第一PMOS晶体管的漏极相连，第五电阻的正端与第一PMOS晶体管的栅极相连；电容C的上极板与第一PMOS晶体管的漏极相连，电容C的下极板与第五电阻的负端相连；第一PNP三极管的基极和集电极连接到接地信号GND，第二PNP三极管的基极和集电极连接到接地信号GND。 |
