发明名称 | 一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置,该磁控溅射方法包括:将样品清洗置入真空腔中,对真空腔抽真空;通入氩气对样品进行等离子体清洗;通入氩气作为溅射气体,在样品的表面进行直流溅射或者脉冲溅射,形成过渡层;通入反应气体,在过渡层的表面进行脉冲溅射,形成涂层;关闭溅射阴极及电源,停止通入的反应气体,取出表面溅射有涂层的样品。本发明相比传统磁控溅射技术,参与反应的气体和靶材粒子离化率大大提高,从而成膜的密度、均匀度等特性都大大改善,并消除了制造厚涂层过程的热效应,减少成膜的内部应力。本发明相比传统通过调节气流量的方法调节颜色,调节脉冲波形的方法更为精准、范围更大。 | ||
申请公布号 | CN103938166A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
申请号 | CN201310024628.0 | 申请日期 | 2013.01.23 |
申请人 | 香港生产力促进局;香港表面处理学会有限公司 | 发明人 | 卢伟贤;谢贯尧;张忠祥;易敏龙;刘耀鸿 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人 | 武君 |
主权项 | 一种高能量脉冲式磁控溅射方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤一:将样品清洗置入真空腔中,安装阴极靶材,对真空腔进行抽真空;步骤二:通入氩气对样品进行等离子体清洗;步骤三:通入氩气作为溅射气体,在样品的表面进行直流溅射或脉冲溅射,形成过渡层;步骤四:通入反应气体,在过渡层表面进行脉冲溅射,形成涂层;步骤五:关闭溅射阴极及电源,停止通入的反应气体,取出表面溅射有涂层的样品。 | ||
地址 | 中国香港九龙塘达之路78号生产力大楼 |