半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置包括元件活性部（X）和元件周边部（Y），在元件活性部（X）和元件周边部（Y）的上表面形成有层间绝缘膜，在元件活性部（X）侧的层间绝缘膜的上表面形成有与p型基极区域和n型源极区域连接的源电极和用于包围源电极的环状栅极金属布线，并且栅极金属布线和栅电极连接。在半导体基板的第1主表面侧的上表面形成具有开口部的有机保护膜，开口部包括部分露出栅极金属布线的栅电极极板部分和部分露出源电极的源电极极板部分。在栅极金属布线和有机保护膜之间形成无机保护膜以覆盖栅极金属布线。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：具有元件活性部和所述元件活性部外周的元件周边部，所述元件活性部包括：第2导电类型的基极区域，形成在半导体基板的第1主表面侧的第1导电类型的半导体层上；第1导电类型的源极区域，形成在所述基极区域；栅极绝缘膜，形成在所述半导体层和所述源极区域之间的所述基极区域的所述半导体基板的表面上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上；源电极，形成在所述层间绝缘膜上并与所述基极区域和所述源极区域连接；环状栅极金属布线，形成在所述层间绝缘膜上以包围所述源电极并与所述栅电极电连接，所述元件周边部包括：第2导电类型的至少2个保护环，相互分开地形成在所述半导体层；绝缘膜，形成在所述半导体基板的所述第1主表面上；所述层间绝缘膜，形成在所述绝缘膜上；至少一个环状场板电极，形成在所述层间绝缘膜上以包围所述元件活性部并与所述保护环电连接；有机保护膜，覆盖所述半导体基板的第1主表面侧的上表面并且与所述层间绝缘膜连接，所述有机保护膜设置有部分地暴露所述栅极金属布线的第1开口部以及部分地暴露所述源电极的第2开口部；无机保护膜，形成在所述栅极金属布线和所述有机保护膜之间并覆盖所述栅极金属布线。