耐电晕聚酰亚胺膜及其制备工艺

摘要

本发明提供了一种能在实际环境中稳定生产耐电晕聚酰亚胺膜的制备工艺，首先制备A、B组份，将A组份制成稳定而均匀的耐电晕浆，将B组份制成低分子聚酰胺酸溶液；将A组份投入B组份中，通过强力机械搅拌，使混合体系中的纳米填料分布均匀而稳定，采用原位聚合方法投入均苯四甲酸二酐继续反应，制备成耐电晕的高分子聚酰胺酸溶液；根据耐电晕高分子聚酰胺酸溶液的特性，采用与之相适应的流诞工艺于130～175℃下制备成膜，并采用380～450℃高温亚胺化工艺制成耐电晕聚酰亚胺膜。

主权项

一种耐电晕聚酰亚胺膜，其特征在于，包含如下组份及配方：A组份：由N,N一二甲基乙酰胺，纳米填料，高分子树脂，硅烷偶联剂组成，通过预分散及高压分散制备成均匀而稳定的耐电晕浆；所述纳米填料至少一种选自纳米三氧化二铝，或纳米二氧化硅，或纳米二氧化钛，或选自其中的二种，或三种混合填料；高分子树脂与纳米填料量之重量比为1：1，其中硅烷偶联剂用量为N,N一二甲基乙酰胺溶剂重量的0.03～0.5%；B组份：由均苯四甲酸二酐在N,N一二甲基乙酰胺中与4，4’一二氨基二苯醚或4，4’一二氨基二苯醚和对苯二胺反应制成的低分子聚酰胺酸溶液；其反应的摩尔比为≤0.8：1或≤0.8：0.7：0.3，其中4，4’—二氨基二苯醚与对苯二胺的摩尔比为0.7:0.3；耐电晕高分子聚酰胺酸溶液：由A、B组份混合均匀后成为耐电晕低分子聚酰胺酸溶液，通过增加均苯四甲酸二酐进行深入的原位聚合反应，生成耐电晕高分子聚酰胺酸溶液，其中均苯四甲酸二酐与4，4’—二氨基二苯醚或4，4’—二氨基二苯醚和对苯二胺最终的反应摩尔比为1:1或1:0.7:0.3。