发明名称 一种高功率半导体激光合束方法
摘要 本发明提供一种高功率半导体激光合束方法,通过该方法可以得到均匀性好,能量密度大,光束直径缩小一半的激光合束光源。该高功率半导体激光合束方法,包括:将半导体激光器叠阵的各个半导体激光单元发出的激光光束分别进行快慢轴准直;将准直后的激光光束通过合束装置,使得一部分激光光束沿入射光轴水平出射或者发生双折射后水平出射并具有竖直方向上的位移,另一部分激光光束发生两次全反射后与所述水平出射的激光光束平行并形成插空合束出射。
申请公布号 CN103944066A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410195567.9 申请日期 2014.05.09
申请人 西安炬光科技有限公司 发明人 蔡磊;刘兴胜;杨凯;王警卫;李小宁
分类号 H01S5/40(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I;G02B27/10(2006.01)I 主分类号 H01S5/40(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 胡乐
主权项 一种高功率半导体激光合束方法,包括:将半导体激光器叠阵的各个半导体激光单元发出的激光光束分别进行快慢轴准直;将准直后的激光光束通过合束装置,使得一部分激光光束沿入射光轴水平出射或者发生双折射后水平出射并具有竖直方向上的位移,另一部分激光光束发生两次全反射后与所述水平出射的激光光束平行并形成插空合束出射。
地址 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号10号楼三层