处理含氧半导体晶片的方法及半导体元件

摘要

本发明描述了一种用于处理含氧半导体晶片的方法，其中所述含氧半导体晶片具有第一面、与第一面相对的第二面、与第一面邻接的第一半导体区域、和与第二面邻接的第二半导体区域，所述方法包括如下方法步骤：用高能粒子辐照晶片的第二面，因此在第二半导体区域中产生晶体缺陷；和进行第一热处理，其中将晶片加热至700℃至1100℃之间的温度。本发明还涉及在以这种方式所处理的晶片的基础上所产生的元件。

主权项

垂直功率半导体元件，包括：半导体本体，包括根据坩锅提拉法所产生的半导体衬底，其中半导体衬底（100’）具有低氧沉淀半导体区（103），元件区（23；32），其被配置用以当在关状态中驱动元件时采取反向电压，并且其至少布置在低氧沉淀半导体区（103）的部分中。