| 发明名称 |
一种适用于发光二极管的剥离方法 |
| 摘要 |
一种适用于发光二极管的剥离方法，涉及光电技术领域。本发明的剥离方法步骤为：<img file="dest_path_image002.GIF" wi="13" he="14" />在基底材料上覆盖一层介质膜一形成图案一；<img file="dest_path_image004.GIF" wi="13" he="14" />在器件上表面覆盖一层介质膜二；<img file="dest_path_image006.GIF" wi="14" he="14" />用化学液腐蚀掉介质膜一，介质膜一上方的介质膜二被剥离，基底材料上由保留的介质膜二形成图案二，图案二与图案一的图形相反。同现有技术相比，本发明使用非光刻胶材质实现图形化工艺，适用范围更加广泛。 |
| 申请公布号 |
CN103943730A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
| 申请号 |
CN201310023478.1 |
申请日期 |
2013.01.23 |
| 申请人 |
同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
王立彬;郭德博 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种适用于发光二极管的剥离方法，其步骤为：<img file="2013100234781100001dest_path_image002.GIF" wi="17" he="42" />在基底材料（1）上覆盖一层介质膜一（2）形成图案一；<img file="2013100234781100001dest_path_image004.GIF" wi="17" he="42" />在器件上表面覆盖一层介质膜二（3）；<img file="2013100234781100001dest_path_image006.GIF" wi="17" he="42" />用化学液腐蚀掉介质膜一（2），介质膜一（2）上方的介质膜二（3）被剥离，基底材料（1）上由保留的介质膜二（3）形成图案二，图案二与图案一的图形相反。 |
| 地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |
