| 发明名称 | 覆膜表面处理方法 | ||
| 摘要 | 一种覆膜表面处理方法，其特征在于，包括：使用在被成膜面上形成有微细的孔或槽的基体(21)，在包含该孔或槽的内壁面和内底面的所述基体(21)的整个面上形成覆膜(22)；以及通过对所述覆膜(22)的表面实施等离子体处理，从而使在所述孔或槽的所述内壁面上形成的所述覆膜(23)平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN102449741B | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201080022769.3 | 申请日期 | 2010.07.21 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 小平周司;吉浜知之;鎌田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 杨晶;王琦 |
| 主权项 | 一种覆膜表面处理方法，其特征在于，包括使用在被成膜面上形成有微细的孔或槽的基体，在包含该孔或槽的内壁面和内底面的所述基体的整个面上形成覆膜；以及使用以与所述基体对置的方式配置有靶的真空槽，通过对所述覆膜的表面实施等离子体处理，从而使在所述孔或槽的所述内壁面上形成的所述覆膜平坦化的工序，当在所述基体上形成所述覆膜时，使第一等离子体从所述靶与所述基体之间的中间区域来看在所述靶侧的位置产生，当使所述覆膜平坦化时，使第二等离子体从所述靶与所述基体之间的中间区域来看在所述基体侧的位置产生。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||