多层单晶三维堆栈式存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维堆栈式存储器结构的制造方法，包括：结合一第一单晶半导体本体至一第一绝缘材料层的一表面，且于平行于该第一绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第一单晶半导体本体，留下一第一单晶半导体材料层结合于该第一绝缘材料层上；形成一第二绝缘材料层于该第一单晶半导体材料层上；结合一第二单晶半导体本体至该第二绝缘材料层的一表面，且于平行于该第二绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第二单晶半导体本体，留下一第二单晶半导体材料层结合于该第二绝缘材料层上；以及处理该第一与该第二单晶半导体材料层，用以形成一三维存储器阵列。此单晶半导体的多层结构适用于高性能存储器单元的多阶层实施。

主权项

一种存储器装置的制造方法，该方法包括：结合一第一单晶半导体本体至一第一绝缘材料层的一表面，且于平行于该第一绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第一单晶半导体本体，留下一第一单晶半导体材料层结合于该第一绝缘材料层上；形成一第二绝缘材料层于该留下的第一单晶半导体材料层上；结合一第二单晶半导体本体至该第二绝缘材料层的一表面，且于平行于该第二绝缘材料层的该表面的平面上，分离该第二单晶半导体本体，留下一第二单晶半导体材料层结合于该第二绝缘材料层上；以及处理该第一与该第二单晶半导体材料层，用以形成一三维存储器阵列(3D memory array)。