发明名称 |
一种高性能微带多级低噪声放大器 |
摘要 |
本实用新型提供了一种微带多级低噪声放大器,包括三级依次串接的低噪声放大器、电源、滤波电容和∏型滤波器;所述低噪声放大器各级之间分别连接着两个∏型滤波器;所述电源为两组、分别通过两个滤波电容滤波后为各部件供电;所述低噪声放大器包括FET晶体管、输入匹配电路、输出匹配电路、四分之一波长扇形微带结构、第一分压电路和第二分压电路。本实用新型公用两组电源,整体结构简化、集成度高;各级低噪声放大器之间的∏型滤波器能够有效避免各级之间的传导干扰;栅极和漏极供电处引入四分之一波长扇形微带结构,既能防止高频干扰,又能有效滤除电源噪声,因此放大器整体噪声系数小、增益高、增益平坦度小、输入输出驻波比小。 |
申请公布号 |
CN203734624U |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201420002918.5 |
申请日期 |
2014.01.03 |
申请人 |
南京信息工程大学 |
发明人 |
葛俊祥;马志强;许准;周蓓;李鹏;李家强 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H03F1/34(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
南京众联专利代理有限公司 32206 |
代理人 |
顾进;叶涓涓 |
主权项 |
一种高性能微带多级低噪声放大器,其特征在于:包括三级依次串接的低噪声放大器、电源、滤波电容和∏型滤波器;所述低噪声放大器各级之间分别连接着两个∏型滤波器;所述电源为两组、分别通过两个滤波电容滤波后为各部件供电;所述低噪声放大器包括FET晶体管、输入匹配电路、输出匹配电路、四分之一波长扇形微带结构、第一分压电路和第二分压电路,所述输入匹配电路与FET晶体管的栅极相连,所述输出匹配电路与FET晶体管的漏极相连,所述第一分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的栅极连接、供FET晶体管工作所需要的栅极电压,所述第二分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的漏极连接、供FET晶体管工作所需要的漏极电压。 |
地址 |
210044 江苏省南京市宁六路219号 |