发明名称 | 写极箱屏蔽结构 | ||
摘要 | 本申请公开了一种写极箱屏蔽结构。一种磁性元件可通常配置为至少构造有在箱屏蔽结构之中的写极,箱屏蔽结构由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。 | ||
申请公布号 | CN103943115A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
申请号 | CN201410022347.6 | 申请日期 | 2014.01.17 |
申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 沈哲;罗勇;W·谈;D·林 |
分类号 | G11B5/11(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/11(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
主权项 | 一种装置,包括在箱屏蔽结构之中的写极,所述箱屏蔽结构包括第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构,所述写极通过包括不同材料的至少两个间隙层的多层间隙结构与箱屏蔽结构隔开。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |