摘要 |
本发明涉及一种应用于功率开关管MOSFET的驱动电路,尤其涉及一种碳化硅MOSFET的驱动电路,属于驱动电路技术领域,为解决现有驱动电路中MOSFET关断时可靠性差的问题而发明。它包括PWM控制电路、驱动脉冲放大电路、驱动电阻R<sub>g</sub>、第一二极管D<sub>1</sub>、电阻R<sub>1</sub>、PNP三极管Q<sub>off</sub>、第二二极管D<sub>2</sub>、电容C。本发明通过PNP三极管Q<sub>off</sub>、电阻R<sub>1</sub>和电容C组成MOSFET关断电路,在MOSFET快速关断时,有效抑制了由密勒电流引起的门极正电压尖峰,同时通过第二二极管D<sub>2</sub>和电容C还可以抑制门极负电压尖峰,保证MOSFET安全、可靠地关断,能充分发挥碳化硅MOSFET的性能优势。 |