一种抗PID太阳能电池制作方法

摘要

本发明公开了一种抗PID太阳能电池的制备方法，该方法是在室温下，使用紫外线穿过距离为0.2～1cm的压缩空气或者氧气，照射硅片扩散面，生长厚度为0.5～1nm的氧化膜。该氧化硅层，能够在非常薄的情况下，满足抗PID的需求，因而避免由于氧化硅层过厚带来造成的减反效果降低的问题，使得本发明的太阳能电池产品完美的解决了抗PID和光利用率的矛盾问题。同时，使用该方法制备的氧化膜具有良好的表面钝化效果，可以提高太阳能电池片的光电转换效率。本发明工艺简单、成膜速度快，且自动控制膜厚，不需要特殊的手段控制成膜的厚度，大大提高了整个工艺的实用性，为大规模工业化生产提供了有效的途径。

主权项

一种抗PID太阳能电池的制作方法，该抗PID太阳能电池在硅基片和氮化硅之间制作一层氧化硅，以获得抗PID的效果，其特征在于：所述氧化硅是在紫外线辅助作用下经氧化工艺制备而成。