发明名称 |
一种用于测量阈值电压漂移的芯片上传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种用于测量阈值电压漂移的芯片上传感器,所述传感器包括测试电路、参考电路和减法器电路,其中,所述参考电路与所述测试电路并联连接于电源电压和接地之间;测试电路和所述参考电路的输出端分别电连接至所述减法器电路的输入端,所述测试电路包含一待测晶体管和一天线结构,其中,天线结构与所述待测晶体管的栅极连接,所述减法器电路用于测量所述待测晶体管从天线结构中产生的等离子体损伤引起的漂移的阈值电压与所述参考电路中与所述待测晶体管对应的参考晶体管之间的阈值电压差。本发明所述芯片上传感器中设置天线结构以及参考电路,并消除其他晶体管可能产生的影响,使得待测晶体管阈值电压的测试、监控更加准确、简单。 |
申请公布号 |
CN103941068A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201310024231.1 |
申请日期 |
2013.01.22 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
甘正浩;冯军宏 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种用于测量阈值电压漂移的芯片上传感器,所述传感器包括测试电路、参考电路和减法器电路,其中,所述参考电路与所述测试电路并联连接于电源电压和接地之间;所述测试电路和所述参考电路的输出端分别电连接至所述减法器电路的输入端,其特征在于,所述测试电路包含一待测晶体管和一天线结构,其中,所述天线结构与所述待测晶体管的栅极连接,所述减法器电路用于测量所述待测晶体管从天线结构中产生的等离子体损伤引起的漂移的阈值电压与所述参考电路中与所述待测晶体管对应的参考晶体管之间的阈值电压差。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |