发明名称 一种发光器件芯片
摘要 本实用新型提出了一种发光器件芯片,包括:自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极,所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合,所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程,降低工业废水的污染治理成本;透明衬底对光没有吸收性,能够降低发光损耗,增加发光器件芯片的整体出光效率;同时生长衬底可以重复利用,降低生产成本,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
申请公布号 CN203733825U 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201420064017.9 申请日期 2014.02.13
申请人 北京太时芯光科技有限公司 发明人 廉鹏
分类号 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I 主分类号 H01L33/02(2010.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 郑自群
主权项 一种发光器件芯片,其特征在于,包括:自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极,所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合,所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽北街一号一层