发明名称 |
一种发光器件芯片 |
摘要 |
本实用新型提出了一种发光器件芯片,包括:自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极,所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合,所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程,降低工业废水的污染治理成本;透明衬底对光没有吸收性,能够降低发光损耗,增加发光器件芯片的整体出光效率;同时生长衬底可以重复利用,降低生产成本,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 |
申请公布号 |
CN203733825U |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201420064017.9 |
申请日期 |
2014.02.13 |
申请人 |
北京太时芯光科技有限公司 |
发明人 |
廉鹏 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 |
代理人 |
郑自群 |
主权项 |
一种发光器件芯片,其特征在于,包括:自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极,所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合,所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。 |
地址 |
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽北街一号一层 |