一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法

摘要

本发明提供了一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体材料为基片，在上面形成N-外延层，阳极与阴极均为金属材料；其制备包括：改变现有肖特基势垒二极管芯片的阴阳极焊接层金属类别。本发明制备方法简单，提高肖特基二极管芯片封装厂的封装良率与生产效率，同时减少封装厂的生产成本。

主权项

一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N型半导体材料为基片，在上面生长N‑外延层，N‑外延层淀积一层金属作为势垒层，势垒层淀积三层金属作为阳极，N型基片淀积三层金属作为阴极。