发明名称 光半导体装置及其制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明的光半导体装置的制造方法包括:在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序;在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序;在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序;用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序;除去支承基板之后,将光半导体装置分片化的第五工序。另外,其特征在于,第一及第二导电构件为镀敷件。由此,能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。
申请公布号 CN103943734A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410136422.1 申请日期 2009.09.08
申请人 日亚化学工业株式会社 发明人 藤友正人;玉置宽人;西岛慎二;反田祐一郎;三木伦英
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 海坤
主权项 一种光半导体装置的制造方法,其中,包括:在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序;在所述第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序;在所述第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序;用由透光性树脂构成的密封构件覆盖所述光半导体元件的第四工序;除去所述支承基板之后,将光半导体装置分片化的第五工序。
地址 日本德岛县