| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极；位于所述栅极两侧的半导体衬底上的源极和漏极；位于所述栅极与所述半导体衬底之间的栅绝缘层；其中，所述栅极在其底部靠近所述源极和漏极的位置形成有内凹结构。本发明的半导体器件，由于栅极在其底部靠近源极和漏极的两侧形成有内凹结构，减小了栅极与源极、漏极的交叠面积，因而可以有效抑制寄生电容；并且，这一栅极结构可以优化离子注入的界面，更好地避免短沟道效应。本发明的半导体器件的制造方法，可以用于制造上述的半导体器件，其制造的半导体器件同样具有上述优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103943678A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201310024234.5 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极；位于所述栅极两侧的半导体衬底上的源极和漏极；位于所述栅极与所述半导体衬底之间的栅绝缘层；其中，所述栅极在其底部靠近所述源极和漏极的位置形成有内凹结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||