发明名称 |
一种用CO<sub>2</sub>直接合成石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明属于碳材料制备技术领域,提供一种以CO<sub>2</sub>为碳源化学气相沉积合成石墨烯的新方法。该方法不使用金属基底以外的其他催化剂,不需要主加热设备以外的其他加热设备,通过先让CO<sub>2</sub>在低温下反应生成碳,然后再升高温度退火接着降温的过程,使低温生成的碳最终结晶成石墨烯。通过该方法我们成功合成了石墨烯或石墨烯岛,并通过改变金属基底质量或高温退火温度可以实现石墨烯品质的加工。 |
申请公布号 |
CN103935996A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410186284.8 |
申请日期 |
2014.05.06 |
申请人 |
重庆大学 |
发明人 |
胡宝山;田军军;魏子栋 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种以CO<sub>2</sub>为碳源CVD合成石墨烯的方法,其特征在于,在一定反应压力下,不使用金属基底以外的其他催化剂,不需要主加热设备以外的其他加热设备,先让CO<sub>2</sub>在低温下反应于金属基底表面生成无定形碳,然后再升高温度退火,调节退火和降温阶段气氛组成和降温速率使低温生成的碳最终结晶成石墨烯。 |
地址 |
400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学化学化工学院 |