| 发明名称 | 一种功率半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体器件及其形成方法，属于半导体器件技术领域。本发明所提供的上述功率半导体器件中，所述集电极层为锗层或硅锗层。相较于硅层而言，在相同的掺杂浓度下，所述锗层或硅锗层中具有更大的载流子迁移率、更低的接触势垒以及更低的载流子寿命，从而降低了本发明所公开的功率半导体器件的导通压降和关断时间，且不提高所述功率半导体器件的制作成本，即在不提高制作成本的前提下，解决了现有技术中功率半导体器件导通压降大，关断时间长的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103943671A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201310025255.9 | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 朱阳军;胡爱斌;喻巧群;卢烁今 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件中集电极层为锗层或硅锗层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||