| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置，包括一半导体基底、至少一第一栅极、一浅沟槽隔离以及一第三栅极。第一栅极设置于半导体基底上，且第一栅极部分重叠第三栅极与浅沟槽隔离。此外，第三栅极设置于浅沟槽隔离中，且第三栅极包括至少一突出部。 | ||
| 申请公布号 | CN103943623A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201310022369.8 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李召兵;许正源;任驰 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：至少一第一栅极设置于一半导体基底上；以及第三栅极，设置于一浅沟槽隔离中，其中该第一栅极部分重叠该第三栅极与该浅沟槽隔离，且该第三栅极包括至少一突出部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||