| 发明名称 | ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。 | ||
| 申请公布号 | CN103938164A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201310023126.6 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 宋合成;黄德海 |
| 主权项 | 一种ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||