发明名称 |
用于NDC薄膜的离线监控方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于NDC薄膜的离线监控方法,包括:第一步骤,在监控晶圆上依次生长一保护层和一粘合层;第二步骤,在所述粘合层上生长一铜层后,在所述铜层上生长一NDC薄膜,用光学量测机台对所述NDC薄膜进行测试,以监控所述NDC薄膜的各参数;第三步骤,在前步骤形成的NDC薄膜上再生长一铜层,在本步骤中形成的铜层上也再生长一NDC薄膜,用光学量测机台对在本步骤中形成的NDC薄膜进行测试,以监控本步骤中形成的NDC薄膜的各参数;第四步骤,重复第三步骤,其中,监控晶圆限定使用次数不大于5次。通过本发明实现了NDC薄膜的监控晶圆在工厂内的连续多次使用,减少了NDC薄膜的监控晶圆的回收次数,以及减少了NDC薄膜的监控晶圆的用量。 |
申请公布号 |
CN103943528A |
申请公布日期 |
2014.07.23 |
申请号 |
CN201410111309.8 |
申请日期 |
2014.03.24 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
雷通;桑宁波;朱亚丹 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种用于NDC薄膜的离线监控方法,其特征在于包括:第一步骤,在监控晶圆上依次生长一保护层和一粘合层;第二步骤,在所述粘合层上生长一铜层后,在所述铜层上生长一NDC薄膜,用光学量测机台对所述NDC薄膜进行测试,以监控所述NDC薄膜的各参数;第三步骤,在前步骤形成的NDC薄膜上再生长一铜层,在本步骤中形成的铜层上也再生长一NDC薄膜,用光学量测机台对在本步骤中形成的NDC薄膜进行测试,以监控本步骤中形成的NDC薄膜的各参数;第四步骤,重复第三步骤,其中,所述监控晶圆限定使用次数不大于5次。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |