发明名称 一种铁电薄膜钛酸锶钡的图形化方法
摘要 本发明公开了一种铁电薄膜钛酸锶钡的图形化方法,以图形化的光刻胶作为牺牲层,采用在有机溶剂中超声剥离的方法使铁电薄膜钛酸锶钡图形化。在清洗基片及光刻显影后,将基片放入磁控溅射仪真空室中,使用射频磁控溅射的方法进行铁电薄膜钛酸锶钡的沉积,再于有机溶剂中对基片进行剥离,于750℃退火,制得图形化的铁电薄膜钛酸锶钡。本发明所得图形精度高,调谐元器件具有良好的调谐性能和介电性能;方法简单、介电性能优良,具有良好的应用前景。
申请公布号 CN103938155A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410125791.0 申请日期 2014.03.31
申请人 天津大学 发明人 李玲霞;许丹;于士辉;董和磊;金雨馨
分类号 C23C14/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 主分类号 C23C14/04(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 张宏祥
主权项 一种铁电薄膜钛酸锶钡的图形化方法,以图形化的光刻胶作为牺牲层,采用在有机溶剂中超声剥离的方法使铁电薄膜钛酸锶钡图形化;具体步骤如下:(1)清洗基片及光刻显影(a)将基片放入有机溶剂中超声清洗10‑20分钟,用去离子水冲洗后在氮气流中干燥;(b)将光刻胶旋涂在基片上,厚度1um‑4um,烘干后使用光刻掩膜版做曝光处理;(c)使用显影液将图形显影出来,获得图形化的光刻胶;(d)显影完成后,使用台阶仪测试曝光部分基片的平整度,以保证显影完全;(2)将步骤(1)光刻显影后的基片放入磁控溅射仪真空室中,在相应的射频靶上装置铁电材料钛酸锶钡靶材,使用射频磁控溅射的方法溅射铁电薄膜;(3)当磁控溅射仪真空室的真空度&lt;6×10<sup>‑6</sup>Torr时,开启射频源,通入工作气体,使用射频磁控溅射的方法进行铁电薄膜钛酸锶钡的沉积;(4)步骤(3)结束后,取出基片,在有机溶剂中对基片进行剥离,制得图形化的铁电薄膜钛酸锶钡;(5)将步骤(4)制得的图形化的铁电薄膜钛酸锶钡在空气气氛退火炉中退火,退火温度为750℃,退火时间为15分钟;(6)采用台阶仪对制品的薄膜厚度,以及表面的不均匀度和线粗糙度进行测试。
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